Ultra High Purity Silicon Carbide Maart Wuesstum & Trends

New York, 23. Dezember 2020 (GLOBE NEWSWIRE) - Reportlinker.com kündigt d'Verëffentlechung vum Bericht "Ultra High Purity Silicon Carbide Market Size, Share & Trends Analysis Report By Application, By Region And Segment Forecasts, 2020 - 2027

Déi weltwäit ultra héich Puritéit Siliziumkarbid Maartgréisst soll USD USD 79,0 Millioune bis 2027 erreechen. Et gëtt erwaart sech bei engem CAGR vu 14,8% vun 2020 bis 2027 auszebauen. Déi steigend Penetratioun vun elektresche Gefierer an de Wuesstum vum erneierbaren Energiesektor sinn projezéiert fir Maarthändler Wuesstumsméiglechkeeten ze bidden.

Energieversuergung a Photovoltaik-Invertere gehéieren zu de bedeitende Applikatiounsberäicher vu Siliziumkarbid (SiC) Halbleiter. Desweideren, SiC Kraaftelektronik ginn an elektresch Gefierer Opluedstécker Produkter, Windenergie Infrastruktur, an Industriemotoren ugeholl.

Also ass d'Demande fir elektresch Gefierer erwaart de Wuesstum vun ultra-héijer Rengheet Siliziumkarbid Halbleiter ze stäerken. Déi wuessend Notzung vun erneierbaren Energiequelle fir Stroumgeneratioun ronderëm de Globus gëtt viraussiichtlech fir de Maart fir SiC Kraaft Halbleiter ze bedreiwen.

D'Entwécklung vu Schwellenden Technologien, wéi Quanteberechnung, kënschtlech Intelligenz a 5G Technologie, gëtt och virgesinn nei Méiglechkeete fir Maarthändler ze bidden. D'Erhéijung vun der Penetratioun vun dësen Technologien, besonnesch an den USA, bleift wuel e Schlësselfaktor deen zum Maartwuesstem bäidréit. Firmen an den USA hu grouss Zommen an dës Technologien investéiert, an doduerch positiv Auswierkungen op d'Entwécklung vu Halbleiter, déi fir kënschtlech Intelligenz, Supercomputer an Datenzentere gefuerdert sinn. Zum Beispill, R & D Investitiounen an der US Semiconductor Industrie si bei engem CAGR vu 6,6% vun 1999 op 2019 eropgaang. An den USA, R & D Investitiounen fir 2019 beleefden USD 39,8 Milliarden, dat war ongeféier 17% vu sengem Ëmsaz, deen héchsten ënner allen d'Länner.

D'Erhéijung vun der Nofro fir Liichtemittendioden (LEDs) ass e weidere Schlësselfaktor, dee projezéiert gëtt fir de Wuesstum um Maart an de kommende Joeren ze brennen.Ultra-High Purity Silicium Carbide gëtt benotzt fir onsécherheeten an LEDen ze entfernen.

De LED Beleuchtungsmaart gëtt erwaart eng Wuesstumszuel vun 13.4% vun 2020 bis 2027 unzemellen wéinst dem Réckgang vun de Präisser, strenge Reglementer bezunn op Beleuchtungstechnologien, an Efforte vu verschiddene Regierungen a Richtung nohalteg Entwécklung.

Firmen a Südkorea sinn an der Entwécklung vu Siliziumkarbid Technologie involvéiert, déi viraussiichtlech laangfristeg e wichtege Fuerfaktor bleift. Zum Beispill, POSCO, ee vun de féierende Stolproduzenten op der Welt, huet 10 Joer an d'Entwécklung vun SiC Eenkristall.

An dësem Projet schafft POSCO un der Entwécklung vun 150-mm an 100-mm SiC Substrat Technologie, déi no bei der Kommerzialiséierung ass. En aneren Hiersteller SK Corporation (SKC) wäert wuel 150-mm SiC Wafer kommerzialiséieren.

Ultra High Purity Silicon Carbide Market Report Highlights
• Am Sënn vu béide Recetten a Volumen war den Halbleiter dat gréissten Uwendungssegment am Joer 2019. De Wuesstum vum Segment gëtt u wuessend Ufuerderunge vun der wuessender Mëttelklassbevëlkerung zougeschriwwen, an domat indirekt Nofro fir Elektronik
• Duerch Uwendung gi LEDe geplangt fir sech am schnellsten CAGR vu 15,6% auszeginn wat d'Recetten ubelaangt vun 2020 bis 2027. D'Erhéijung vun der Bewosstsinn iwwer d'global Erwiermung huet e positiven Impakt op d'Demande fir LEDs geschaf wéinst hirer Energieeffizienz.
• D'COVID-19 Pandemie huet e staarken Impakt op d'Endnotzungsindustrie vun ultra-héijer Rengheet Siliziumkarbid (UHPSiC) erstallt. Wat de Volume ugeet, gëtt d'Demande fir UHPSiC geplangt vu 2020 ëm bal 10% zréckzekommen
• Asien Pazifik war dee gréisste regionale Maart an huet e Volumenundeel vun 48,0% am Joer 2019 ausgemaach. Héich Volumen Produktioun vun Elektronik an LEDen a China, Südkorea an Taiwan ass e wichtege Wuesstumsfaktor fir de regionale Maart


Post Zäit: Jan-06-2013